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斯达半导体:车规级IGBT与SiC MOSFET模块产品加速上车

2022-09-20 来源:产业在线ChinaIOL整理

       在斯达半导体半年度业绩说明会上,董事长总经理沈华表示,目前公司正在积极扩产,以满足在新能源汽车、新能源发电、储能等行业不断增长的市场需求。

新一代IGBT芯片大批量应用


      2022年上半年,斯达半导体实现营业收入11.54亿元,同比增长六成,归属于上市公司股东的净利润3.47亿元,同比增长1.25倍。公司在手订单增长速度,报告期内合同负债项目同比上期增长近四倍;公司也加大了研发投入,上半年研发费用同比增长超过七成。

      从业务板块来看,斯达半导在新能源行业强劲增长,营业收入同比增长近两倍至5.47亿元,规模逼近工业控制和电源行业营收规模,公司变频白色家电及其他行业的营业收入为4070.2万元,较上年同期增长近两成。

     沈华介绍,目前斯达半导基于第六代Trench Field Stop技术的全系列自主IGBT芯片已经广泛应用于公司下游各行业,电压等级覆盖600V/650V/950V/1200V/1700V等,芯片自主比率接近100%。同时,公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的新一代IGBT芯片已经在下游各行业开始大批量应用。

     今年上半年,斯达半导生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量,合计配套超过50万辆新能源汽车,预计下半年配套数量将进一步增加,其中A级及以上车型超过20万辆。同时公司在用于车用空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。

进一来看,公司基于第六代Trench Field Stop技术车规级IGBT模块新增多个双电控混动以及纯电动车型的主电机控制器平台定点,有望对2024年-2030年公司新能源汽车IGBT模块销售增长提供持续推动力;另外,基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的新一代车规级650V/750VIGBT芯片通过客户验证,下半年开始批量供货。

SiC MOSFET模块大批量装车

      与IGBT方案比,SiC MOSFET 方案可以有效的提升新能源汽车持续续航能力、空间利用等关键性指标,同时还可以减小电机控制器的体积,以特斯拉为代表的部分中高端车型已经开始使用SiC MOSFET方案。

      据披露,斯达半导应用于乘用车主控制器的车规级SiC MOSFET模块开始大批量装车,同时公司新增多个使用车规级SiC MOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点,预计将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiC MOSFET模块销售增长提供持续推动力。

      在光伏储能,斯达半导自主芯片的650V/1200V单管IGBT和模块可提供从单管到模块全部解决方案,已成为户用和工商业并网逆变器和储能变流器的主要供应商,同时,公司应用于光伏行业的1200VIGBT模块在1500V系统地面电光伏电站和储能系统中开始批量应用。



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关键词:半导体  功率器件   编辑:GYL
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